秦克精神大振。
芯片技术的任务终于来了!果然,自己猜得没错,特殊分支科技肯定会一直有任务发下来,只是时间不确定罢了。
这也意味着,停滞了好久的“人工智能”分支科技,以后也必定会有新的任务。
而触发新任务的方式,可能是遇到刚好与之有关的事件,比如这次许老师找上门来求助eda算法的事,系统就直接下发了与eda有关的芯片任务。
当然,除了想明白这些细节外,最让秦克感觉精神振奋的是任务的奖励,居然有一份s级的知识!而且是适用于1nm芯片的全新型碳晶复合纳米材料制作全流程!
1nm的制程工艺是什么概念?
要知道现在国际主流的芯片采用的硅基材料,制程工艺物理极限只能达到7nm而已!
因为硅基晶体管由源极,漏极和栅极组成,栅极负责电子的流向,通过“开和关”的动作来标识着0和1这两个二进制信号,但当晶体管栅长低于7nm时,里面的电子就有很大概率产生量子穿隧效应,即电子会穿过它们本来无法通过的“墙壁”而呈现出不受控制的情况。
0和1这最基本的二进制信号不可控,那还谈什么用来制造芯片?
近来得益于一种新研发出来的互补式金属氧化物半导体晶体管“fi”(翻译过来就是“鳍式场效应晶体管”),大幅缩短晶体管的栅长,才使得5nm开始进入量产阶段。
但哪怕是在fi技术下,芯片制造工艺极限也只到3nm,无论是鳍片距离问题、短沟道效应问题、热效应问题都无法得到解决,于是更高级的环绕式闸极电晶体(gaa)诞生了,一举将制程工艺压缩到2nm,目前gaa技术也只是小规模地运用,无法真正量产。
1nm制程工艺已无法忽略量子效应了,量子穿隧效应将成为常态。可以说,1nm基本上就是传统数字模式的芯片与量子芯片的界限。据说能达到1nm制程工艺的、掺杂了二硫化钼的新型碳纳米管,也只存在于实验室的研究当中,距离面世遥遥无期,更别说进行商业量产了。
现在系统出品的s级知识,居然是关于适用于1nm芯片的全新型碳晶复合纳米材料的制造方法!而且这肯定是能稳定制作芯片的新型复合纳米材料!
秦克怎么能不激动!
这应该是传统芯片设计构架下的所能达到的最完美最极限的材料了,也可以为更进一步的量子芯片奠定基础!
无论是为了
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